Физико-технологический институт имени К. А. Валиева

Лаборатория математического моделирования физико-технологических процессов микроэлектроники
Лаборатория физики квантовых компьютеров приняла участие в работе 9-го форума «Микроэлектроника -2023», состоявшегося в Сочи с 9 по 14 октября. Лаборатория представила 8 докладов. Из
Именно эти слова, сказанные академиком Камилем Ахметовичем Валиевым, стоят в заголовке интервью, данного членом-корреспондентом РАН Лукичёвым В.Ф., директором Физико-технологического института, пресс-службе официального сайта Российской академии
Физико-технологический институт им. К.А. Валиева РАН (www.ftian.ru) подготовил, организовал, и успешно провел 2-6 октября 2023 г. в г. Звенигород Московской области (парк-отель «Ершово») 15-ю международную
23 ноября (четверг) 2023 в 15:00   Компьютерное моделирование квантовых эффектов в конечномерных моделях (по материалам кандидатской диссертации) Докладчик: А.В. Кулагин (МГУ)
21 ноября (вторник) 2023 в 15:00   Генерация пространственно-запутанных NOON-состояний в фотонной молекуле с квантовой точкой Докладчики: Цуканов А.В. (ФТИАН им. К.А Валиева РАН), Катеев
2 ноября (четверг) 2023 в 15-00   Разработка детектора одиночных фотонов для промышленной системы квантового распределения ключей (по материалам кандидатской диссертации) Докладчик: А.В. Лосев (РКЦ)
Буклет 25 лет ФТИАН им. К.А. Валиева РАН ФТИАН РАН организован в соответствии с постановлением Совета Министров СССР от 28 апреля 1988 года и постановлением Президиума АН СССР от 12 июля 1988 года на базе Отдела микроэлектроники Института общей физики АН СССР и включен в состав Отделения информатики, вычислительной техники и автоматизации. Институт был создан для решения фундаментальных физико-технологических проблем субмикронных структур сверхбольших и сверхскоростных интегральных схем на основе развития субмикронной литографии, математического моделирования технологических процессов, разработки вакуумных и плазменных методов создания тонких пленок и их микроструктурирования, разработки и исследования субмикронных приборов микроэлектроники.
Наряду с научной деятельностью ФТИАН им. К.А. Валиева РАН ведет научно-организационную работу, являясь организатором международной конференции ICMNE. Редакция журнала «Микроэлектроника» сейчас функционирует на базе ФТИАН им. К.А. Валиева РАН. В настоящее время каждый номер журнала переводится на английский язык, его переводная версия выходит под названием “Russian Microelectronics” (издательство Springer), имеет более 7000 подписчиков и индексируется в международной базе цитирования SCOPUS.
Список публикаций сотрудников ФТИАН им. К.А. Валиева РАН за 2021 год Статьи: Afanasyev, V. About chemical modifications of finite dimensional qed models / Afanasyev V.,
Список публикаций сотрудников ФТИАН им. К.А. Валиева РАН за 2020 год Статьи: Asadov, M.M. Ab Initio Calculations of the Electronic Properties and the Transport Phenomena in Graphene
Список публикаций сотрудников ФТИАН им. К.А. Валиева за 2019 год Статьи: Amirov, I. I. Formation of metallic nanowire and nanonet structures on the surface of SiO2
Список публикаций сотрудников ФТИАН им. К.А. Валиева РАН за 2018 год Статьи: Alymov, G. Auger recombination in Dirac materials: a tangle of many-body effects. / G. Alymov,
Разработана серия источников ионов для реактивного травления и осаждения тонких пленок. Достоинства и технологические  возможности ионно-лучевых технологий: высокая направленность воздействия, обеспечивающая высокую прецизионность; возможность получения 
Развита концепция применения невозмущающих методов мониторинга и диагностики плазменных технологических процессов, основанная на контроле параметров плазмы и приповерхностных слоев пластины в реакторе. Разработаны методы, средства
Со дня организации и до февраля 2005 года Институт возглавлял академик РАН Валиев Камиль Ахметович. С 2005 года работал научным руководителем института и зав. лабораторией физики квантовых компьютеров.
Орликовский Александр Александрович, В Академии наук работал с 1981 г. с.н.с., зав. лабораторией в ФИАН, затем в ИОФАН и затем с 1989 г. во ФТИАН РАН зам. директора по научной работе (с 2001 г.), директор (с 2005 г.).
В 2017 году директором Физико-технологического института назначен доктор физико-математических наук, член-корреспондент РАН Владимир Федорович Лукичев. Автор более 200 научных публикаций, заместитель главного редактора журнала «Микроэлектроника».
Руденко Константин Васильевич, заместитель директора института по научной работе, доктор физико-математических наук (2008), автор и соавтор более 180 научных трудов, соавтор разделов в 2 монографиях.
Хорин Иван Анатольевич, ученый секретарь института, кандидат физико-математических наук. С 2005 года занимается педагогической деятельностью, является доцентом кафедры наноэлектроники МИРЭА – Российского технологического университета.
Родненкова Ольга Николаевна Заместитель директора — контрактный управляющий. Образование: Экономический факультет Московского государственного университета им. М.В.Ломоносова. Имеет ученую степень кандидата экономических наук.

Это ваша компания? Получите доступ к редактированию карточки и дополнительным возможностям